法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-06-11
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 9/00 授权公告日:20090610 终止日期:20130420 申请日:20070420
专利权的终止
2009-06-10
授权
授权
2007-12-12
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-10-17
公开
公开
机译: 用于近红外辐射的半导体光电阴极-包括透明的砷化镓铝镓层和电子发射砷化镓铟锡层
机译: 用于近红外辐射的半导体光电阴极-包括透明的砷化镓铝镓层和电子发射砷化镓铟锡层
机译: 用于近红外辐射的半导体光电阴极-包括透明的砷化镓铝镓层和电子发射砷化镓铟锡层