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纳米硅/石墨相氮化碳/石墨复合负极材料及其制备方法

摘要

本发明提供一种纳米硅/石墨相氮化碳/石墨复合负极材料,包括石墨基体、分散在石墨基体的纳米硅颗粒及包覆在纳米硅颗粒表面的石墨相氮化碳。进一步地,本发明提供一种纳米硅/石墨相氮化碳/石墨复合负极材料的制备方法。采用石墨相氮化碳(g‑C3N4)对硅进行包覆,有效抑制硅体积膨胀,显著改善其电性能和循环性能。

著录项

  • 公开/公告号CN110635115B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东莞东阳光科研发有限公司;

    申请/专利号CN201810651908.7

  • 发明设计人 彭果戈;聂鹏茹;

    申请日2018-06-22

  • 分类号H01M4/36(20060101);H01M4/38(20060101);H01M4/58(20100101);H01M4/62(20060101);H01M10/0525(20100101);B82Y30/00(20110101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 523871 广东省东莞市长安镇振安中路368号

  • 入库时间 2022-08-23 13:12:30

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