抗裂缝的深沟槽隔离结构、图像传感器结构及其形成方法

摘要

一种方法包括蚀刻半导体衬底以形成沟槽，将介电层填充到沟槽中，其中，在沟槽中和介电层的相对部分之间形成空隙，蚀刻介电层以暴露空隙，在介电层上形成扩散阻挡层，以及在扩散阻挡层上形成高反射率金属层。高反射率金属层具有延伸到沟槽中的部分。通过高反射率金属层包围空隙的剩余部分。本发明的实施例还提供了抗裂缝的深沟槽隔离结构、图像传感器结构及其形成方法。