一种阶梯式高耐电压型薄膜电容器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种阶梯式高耐电压型薄膜电容器及其制备方法，包括：对单晶硅片进行清洗；在单晶硅片上表面制备SiO2薄膜；在SiO2薄膜上表面制备Si3N4薄膜；然后进行热处理；在Si3N4薄膜上表面制备第一TaN薄膜；在第一TaN薄膜上表面制备第一金属薄膜电极层；在单晶硅片的下表面制备第二TaN薄膜；在第二TaN薄膜的下表面制备第二金属薄膜电极层；在第一金属薄膜电极层上涂敷光刻胶、曝光；对第一金属薄膜电极层及第一TaN薄膜层湿法刻蚀/图形化；对湿法刻蚀/图形化后的第一金属薄膜电极层及第一TaN薄膜层二次涂敷光刻胶、曝光；刻蚀Si3N4薄膜和SiO2薄膜；划切，得到高耐电压型薄膜电容器。本发明中的上述电容器能够避免高电压下的电极边缘尖端形成过高的电场造成电容器短路。