公开/公告号CN111435155B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-03-01
原文格式PDF
申请/专利号CN201811594408.0
申请日2018-12-25
分类号G01R31/64(20200101);G11C5/14(20060101);
代理机构11319 北京润泽恒知识产权代理有限公司;
代理人莎日娜
地址 100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层
入库时间 2022-08-23 13:11:08
机译: 一种具有p沟道类型作为存储单元的非易失半导体存储器件。
机译: 一种用于操作易失性读-读存储器的方法,检测器和电路装置
机译: 具有以非易失模式极化的铁电电容器的存储器