公开/公告号CN112204706B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-25
原文格式PDF
申请/专利权人 应用材料公司;
申请/专利号CN201980036655.5
申请日2019-05-23
分类号H01L21/02(20060101);H01L21/3065(20060101);H01L21/67(20060101);C23C16/455(20060101);H01J37/32(20060101);H05H1/46(20060101);H01L21/311(20060101);
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人汪骏飞;侯颖媖
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 13:09:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-02-25
授权
发明专利权授予
机译: 将基板暴露于表面微波等离子体的方法,蚀刻方法,沉积方法,表面微波等离子体产生装置,半导体基板蚀刻装置,半导体基板沉积装置和微波等离子体产生天线组件
机译: 将基板暴露于表面微波等离子体的方法,蚀刻方法,沉积方法,表面微波等离子体产生装置,半导体基板蚀刻装置,半导体基板沉积装置和微波等离子体产生天线组件
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