一种防裂纹的AlN外延层制造方法

摘要

本发明提供了一种防裂纹的AlN外延层制造方法，属于半导体光电子技术领域，衬底上刻蚀有凹陷结构，缓冲层在该凹陷结构中生长，在缓冲层上生长AlN外延层。本发明可以对边缘区域的面积进行调整控制，因此可以获得大面积无裂纹AlN外延层；衬底边缘区域可以形成裂纹阻断结构，阻止裂纹向中心区域延伸，提高AlN表面良率；中心凹陷区域的AlN和两侧AlN结合生长，形成晶格排列致密的AlN外延层，消除了一些不完整的断键，减小应力的产生，因此进一步消除了裂纹。