将存储器单元分组为子区块用于编程速度的统一性

摘要

将三维堆叠的存储器器件配置为提供形成在存储器孔中的存储器串的不同集合的统一编程速度。在从字线层移除牺牲材料的过程中，当存储器孔与引入蚀刻剂的字线层的边缘相对更近时，相对更多地蚀刻掉存储器孔中的阻挡氧化物层。更薄的阻挡氧化物层与更快的编程速度相关联。为了补偿，一起编程字线层的边缘处的存储器串，与内部的存储器串的编程步骤分离。与边缘的存储器串相比，编程操作可以使用更高的初始编程电压来编程内部的存储器串。