一种维持反应腔良性环境的方法

摘要

本发明提供了一种维持反应腔良性环境的方法，涉及外延生长的技术领域。维持反应腔良性环境的方法包括：将完成AlN膜外延生长的生长设备的反应腔加热到预设温度；向所述反应腔通入清洁气体，清除所述反应腔内的杂质颗粒；将所述反应腔保持在所述预设温度，并通入NH3和镓源、且维持预设时长，以在所述反应腔的内壁上沉积GaN覆盖层；清扫所述反应腔的内壁。维持反应腔良性环境的方法能够保证AlN的结晶质量，提高AlN外延制备的效率。