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N型碳纳米管场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供了一种具有n型碳纳米管的场效应管(CNT FET)以及制备该n型CNT FET的方法。该n型CNT FET包括:衬底;形成衬底上并彼此分隔开的电极;形成于衬底上并电连接到电极的碳纳米管;形成于碳纳米管上的栅极氧化层;以及形成于栅极氧化层上的栅极电极,其中栅极氧化层含有电子施主原子,该电子施主原子向碳纳米管贡献电子,使得碳纳米管是由电子施主原子n掺杂的。

著录项

  • 公开/公告号CN100474623C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-04-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN200510087415.8

  • 发明设计人 裵恩珠;闵约赛;朴玩濬;

    申请日2005-07-22

  • 分类号H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人陶凤波;侯宇

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-04-01

    授权

    授权

  • 2007-07-25

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-04-05

    公开

    公开

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