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利用有源硅连接层实现内置模拟电路的多裸片FPGA

摘要

本申请公开了一种利用有源硅连接层实现内置模拟电路的多裸片FPGA,涉及FPGA技术领域,该多裸片FPGA可以支持多个小规模小面积的裸片级联实现大规模大面积的FPGA产品,减少加工难度,提高芯片生产良率;同时由于有源硅连接层的存在,因此一些在裸片内部难以实现的电路结构和/或会占用较大裸片面积的电路结构和/或一些对加工工艺要求较低的电路结构都可以布设在硅连接层,解决现有直接在裸片上制作这些电路结构存在的问题,可以将部分电路结构在硅连接层实现,其余放在裸片内实现,有利于优化FPGA产品的性能、提高系统稳定性、减小系统面积。

著录项

  • 公开/公告号CN111753478B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 无锡中微亿芯有限公司;

    申请/专利号CN202010622764.X

  • 申请日2020-07-01

  • 分类号G06F30/34(20200101);

  • 代理机构32228 无锡华源专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人过顾佳;聂启新

  • 地址 214000 江苏省无锡市建筑西路777号B1幢2层

  • 入库时间 2022-08-23 13:07:48

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