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静电放电防护的晶体管以及形成两个邻近的晶体管的方法

摘要

本发明提供一种静电放电防护的晶体管以及形成两个邻近的晶体管的方法,所述用于静电放电防护的晶体管结构包含有至少两个邻近的晶体管,设置于一基底上。该等晶体管的栅极与源极相互耦接,该等晶体管的漏极相互邻近但分开,作为一个分割的漏极注入结构。该分割的漏极注入结构包含有被一轻掺杂漏极区以及一环注入区所隔开的至少两个漏极注入区。至少该等漏极注入区的其中之一是耦接至一电路的一输出入焊垫。本发明不用增加光罩,可以简化集成电路制造过程、时间、以及成本,同时提供适当的静电放电防护。

著录项

  • 公开/公告号CN100477205C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-04-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN200510109048.7

  • 发明设计人 黄绍璋;朱育宏;

    申请日2005-10-18

  • 分类号H01L23/60(20060101);H01L27/085(20060101);H01L21/8232(20060101);

  • 代理机构北京林达刘知识产权代理事务所;

  • 代理人刘新宇

  • 地址 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-04-08

    授权

    授权

  • 2007-02-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-12-20

    公开

    公开

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