公开/公告号CN109388344B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-11
原文格式PDF
申请/专利权人 西安微电子技术研究所;
申请/专利号CN201811151485.9
申请日2018-09-29
分类号G06F3/06(20060101);
代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;
代理人徐文权
地址 710065 陕西省西安市雁塔区太白南路198号
入库时间 2022-08-23 13:06:26
机译: 最小化或防止交叉说话现象的双端口SRAM的布局结构及其形成方法
机译: 用于基于使用谐波带宽扩展和非谐波带宽扩展的组合基于输入信号表示生成带宽扩展信号的表示的装置,方法和计算机程序
机译: 具有程序代码的装置,方法和介质,用于基于谐波带宽扩展和非谐波带宽扩展的结合而基于输入信号表示来生成带宽扩展信号的表示