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公开/公告号CN111091862B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-11
原文格式PDF
申请/专利权人 杭州电子科技大学;
申请/专利号CN201911108026.7
发明设计人 李海;王喆;周铁军;支涛云;
申请日2019-11-13
分类号G11C19/08(20060101);G11C5/08(20060101);G11C5/02(20060101);G11C7/10(20060101);
代理机构33240 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人杨舟涛
地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
入库时间 2022-08-23 13:06:07
机译: 磁隧道结型磁性随机存取存储器阵列,磁隧道结型磁性随机存取存储器阵列,以及选择和记录磁隧道结型磁性随机存取存储器的方法
机译: 同时使用易失性和非易失性存储单元属性及其控制的现场可编程门阵列
机译:基于自旋轨道扭矩装置的超节能CMOS /磁性非易失触发器
机译:现场可编程逻辑门阵列中的亚微米级磁性隧道结
机译:基于双势垒隧道结的亚皮瓦级易失性存储单元
机译:具有基于MTJ的高能效非易失触发器的粗粒度可重配置加速器
机译:吃豆人形的磁性隧道结,用于基于SEU的耐CMOS磁性触发器,适用于太空应用
机译:具有电压控制界面各向异性的磁性隧道结中易磁化切换的起源
机译:基于垂直磁隧道结的设计和制造基于垂直的磁隧道结的非易失性可编程交换机,使用共用控制晶体管结构实现40%的区域
机译:sNOs非易失晶体管的辐射响应