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溅射靶、磁性膜和磁性膜的制造方法

摘要

本发明的课题在于提供一种可形成兼具磁性颗粒间的良好的磁分离性和高矫顽力的磁性膜的溅射靶、磁性膜和磁性膜的制造方法。本发明的解决方案在于本发明的溅射靶以原子比换算计含有1at.%以上的Zn,其一部分或全部形成Zn‑Ti‑O和/或Zn‑Si‑O的复合氧化物,Pt为45at.%以下,余量包含Co和不可避免的杂质。

著录项

  • 公开/公告号CN111183243B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JX金属株式会社;

    申请/专利号CN201880004047.1

  • 发明设计人 增田爱美;清水正義;下宿彰;

    申请日2018-09-11

  • 分类号C23C14/34(20060101);

  • 代理机构11332 北京品源专利代理有限公司;

  • 代理人吕琳;朴秀玉

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 13:06:06

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