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公开/公告号CN113225039B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-11
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨工程大学;
申请/专利号CN202110447467.0
发明设计人 吕博;李汝江;史金辉;陶慧斌;关春颖;朱正;李玉祥;李汶佳;赵超;董国华;王影;潘泽宇;木弘扬;
申请日2021-04-25
分类号H03H7/01(20060101);G06F30/373(20200101);
代理机构23211 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司;
代理人刘景祥
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号
入库时间 2022-08-23 13:05:34
机译: 具有拓扑绝缘体/电磁绝缘体异质结构的基于电压控制的磁性设备
机译: 基于资产的拓扑鲁棒性和关键性评估的网络管理
机译:非对杂拓扑绝缘体Khgsb中拓扑状态对晶格不稳定的鲁棒性
机译:基于金属 - 绝缘金属环谐振器结构的基于金属绝缘体 - 金属环谐振器结构的等离子体温度纳米传感器的数值研究
机译:基于绝缘体上的超细反射传感器探头,基于绝缘体微管纵向谐振器和Y接合结构
机译:探测拓扑绝缘体薄膜和拓扑绝缘体/铁磁体(TI / FM)异质结构表面状态的磁传输方法。
机译:使用具有合成频率尺寸的二维环形谐振器晶格的三维光子拓扑绝缘体
机译:拓扑态对格子不稳定性的鲁棒性 非同态拓扑绝缘体KHgsb
机译:用于拓扑绝缘体的基于汞的外延材料