公开/公告号CN109656849B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-08
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳市慎勇科技有限公司;
申请/专利号CN201811594192.8
发明设计人 陈健辉;
申请日2018-12-25
分类号G06F13/362(20060101);
代理机构44384 深圳市中科创为专利代理有限公司;
代理人彭西洋;谢亮
地址 518000 广东省深圳市宝安区新安街道67区中粮创智厂区2栋905
入库时间 2022-08-23 13:05:17
机译: 用于手机中动态RAM的存储器地址生成电路,控制用于列地址选通和行地址选通地址的选择信号,用于基于系统配置的存储器映射
机译: SDRAM的列地址选通(CAS)延迟控制电路;每个存储库都有几个主放大器,并且存储库之间有数据总线
机译: 高速缓存地址选通控制逻辑,用于刺激总线周期启动