具有改善激子－光子耦合强度的有机半导体微纳晶体及其制备方法与应用

摘要

本发明属于光电材料应用表征领域，具体涉及具有改善激子－光子耦合强度的有机半导体微纳晶体及其制备方法与应用。本发明提供了一种由DPAVBi分子自组装所得的具有超高激子－光子耦合强度的有机半导体微纳晶体，其可以有效进行激子－光子强耦合，且耦合强度可以高达1.2eV；同时，所述微纳晶体可以实现受激发射。这为最终实现有机微纳晶体中的玻色－爱因斯坦冷凝与极化激元激光奠定了基础，且其可作为极化激元器件方面的有效材料。本发明还提供了所述微纳晶体的制备方法，通过简便的溶剂交换法即可制备得到。