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光刻机成像光学系统像差现场测量方法

摘要

本发明公开了一种光刻机成像光学系统像差现场测量方法,包括如下步骤:标定所述成像光学系统的灵敏度矩阵;将所述光源发出的光束经过所述照明系统调整后,照射于所述掩模;所述掩模选择性地透过一部分光线;这样透过的光线经过所述成像光学系统将掩模上的图案成像;通过改变所述成像光学系统出瞳面处的光强分布,测量得到多组所述空间像线宽,而后使用所述灵敏度矩阵计算各种高级像质参数。采用本发明测量方法可简化测试流程,提高像质参数测量精度,缩短测量时间。

著录项

  • 公开/公告号CN100474115C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-04-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海微电子装备有限公司;

    申请/专利号CN200610025445.0

  • 发明设计人 王帆;马明英;王向朝;

    申请日2006-04-04

  • 分类号G03F7/20(20060101);H01L21/027(20060101);

  • 代理机构31002 上海智信专利代理有限公司;

  • 代理人王洁

  • 地址 201203 上海市张江高科技园区张东路1525号

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-04-27

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G03F 7/20 变更前: 变更后: 申请日:20060404

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2009-04-01

    授权

    授权

  • 2009-04-01

    授权

    授权

  • 2007-01-10

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-01-10

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-11-15

    公开

    公开

  • 2006-11-15

    公开

    公开

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