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包含硅基稀土掺杂发光材料的电致发光器件及制备方法

摘要

一种包含硅基稀土掺杂发光材料的电致发光器件,在稀土离子注入的基础上,利用大剂量的杂质离子注入的办法在硅基二氧化硅薄膜里引入大量的非桥键氧原子,这种非桥键氧原子和稀土离子结合形成有效的稀土发光中心,其中包括:一p-型或n-型硅衬底;一掺杂层,该掺杂层制作在硅衬底上,该掺杂层是在硅衬底上生长的二氧化硅上用离子注入的方法形成的,该掺杂层是发光器件的有源区;一n-型或p-型多晶硅层,该n-型或p-型多晶硅层制作在掺杂层上;一二氧化硅隔离层,该二氧化硅隔离层生长在掺杂层和多晶硅层上;一电极,该电极制作在n-型或p-型多晶硅层上;另一电极,该电极制作在p-型或n-型硅衬底上;在二氧化硅隔离层表面留有一出光口。

著录项

  • 公开/公告号CN100496177C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-06-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN200410070848.8

  • 发明设计人 张建国;成步文;余金中;王启明;

    申请日2004-07-23

  • 分类号H05B33/20(20060101);H05B33/14(20060101);H05B33/12(20060101);H05B33/10(20060101);C09K11/00(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人汤保平

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-09-28

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/15 授权公告日:20090603 终止日期:20100723 申请日:20040723

    专利权的终止

  • 2009-06-03

    授权

    授权

  • 2006-03-22

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-01-25

    公开

    公开

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