一种富含表面硫空位缺陷态结构硫铟锌光催化剂及其制备方法

摘要

本发明属于半导体光催化技术领域，具体涉及一种富含表面硫空位缺陷态结构硫铟锌（ZnIn2S4）光催化剂及其制备方法。本发明提供了一种富含表面硫空位缺陷态结构硫铟锌光催化剂及其制备方法，其特征在于：经过高温高压氢化处理后，硫铟锌光催化剂表面存在大量的硫空位缺陷态结构。相对于未改性硫铟锌光催化剂而言，富含表面硫空位缺陷态结构硫铟锌光催化剂由于在光催化剂表面存在大量的硫空位缺陷态结构，这些表面硫空位缺陷能够形成光生载流子捕获“陷阱”，有效地促进光生电荷的分离并降低光生电子‑空穴对的复合，从而大大地提高了光催化产氢性能。本发明提供的富含表面硫空位缺陷态结构硫铟锌光催化剂及其制备方法，为设计开发新型高效的可见光催化剂提供了新思路和新途径。