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并联杆系多维力传感器结构

摘要

并联杆系多维力传感器结构,涉及属于传感器测量领域。本发明为了解决现有的多维力传感器的结构导致其获取多维力精度低的问题。本发明所述的并联杆系多维力传感器结构,包括支撑平台、负载平台,负载平台和支撑平台通过并联杆系连接,负载平台所受的外力完全通过并联杆系传递到支撑平台上;在支撑平台和负载平台之间布置有测量两者之间微位移的微位移传感器,和/或,在并联杆系的应变梁上设置有应变片,和/或,采用压电晶体作为应变梁。主要用于并联杆系多维力传感器。

著录项

  • 公开/公告号CN112611497B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 马洪文;邢宇卓;

    申请/专利号CN201910882361.6

  • 发明设计人 马洪文;邢宇卓;

    申请日2019-09-18

  • 分类号G01L5/16(20200101);G01L5/167(20200101);G01L5/165(20200101);

  • 代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;

  • 代理人时起磊

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区一曼街2号盟科观邸C4栋2单元2201

  • 入库时间 2022-08-23 13:02:44

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