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垂直二极管、矩阵位置敏感装置及其制造方法

摘要

通过堆叠半导体层形成的垂直二极管,包括:(1)下部电极,其表面在含有N型或者P型导电类型的元素的气体中进行等离子体处理,以及(2)位于下部电极上的非掺杂的半导体层。P型或者N型半导体区域形成在非掺杂的半导体层与下部电极的等离子体处理表面接触的接触表面中。

著录项

  • 公开/公告号CN100474631C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-04-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NEC液晶技术株式会社;

    申请/专利号CN200610077876.1

  • 发明设计人 高桥美朝;

    申请日2006-05-10

  • 分类号H01L29/861(20060101);H01L27/02(20060101);H01L21/329(20060101);H01L21/82(20060101);G06F3/03(20060101);G02F1/133(20060101);

  • 代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人孙志湧;陆锦华

  • 地址 日本神奈川县川崎市

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-07-03

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/861 授权公告日:20090401 终止日期:20120510 申请日:20060510

    专利权的终止

  • 2009-04-01

    授权

    授权

  • 2007-01-10

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-11-15

    公开

    公开

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