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一种完美吸收体的制备方法及完美吸收体

摘要

本发明提供一种完美吸收体的制备方法及完美吸收体,所述方法包括选择二氧化硅作为衬底,然后依次制备第一金属层、介质层、聚甲基丙烯酸甲酯光刻胶;按照预设的周期性超表面阵列结构对烘烤后的光刻胶进行曝光,预设的周期性超表面阵列结构中的超表面原胞内均匀设置有五个内包含至少一个设置有均匀分布的五个直径分别为d1至d5的圆盘,直径分别为d1至d5的圆盘与超表面原胞的Px和Py相对应;并对显影后的结构顶层喷涂金属材料形成第二金属层,以使第一金属层、介质层、第二金属层形成基于区域共振的宽带超表面完美吸收体。本发明能够有效拓展吸收波段范围,并实现宽带光学完美吸收体由三维结构向二维结构转化,提高系统的集成度。

著录项

  • 公开/公告号CN109459808B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201811590134.8

  • 申请日2018-12-25

  • 分类号G02B5/00(20060101);G03F7/00(20060101);C23C14/35(20060101);C23C14/30(20060101);C23C14/18(20060101);

  • 代理机构11667 北京兰亭信通知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵永刚

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2022-08-23 12:59:49

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