一种完美吸收体的制备方法及完美吸收体

摘要

本发明提供一种完美吸收体的制备方法及完美吸收体，所述方法包括：选择二氧化硅作为衬底，然后制备第一金属层；在第一金属层上制备出介质层；在介质层上覆盖聚甲基丙烯酸甲酯光刻胶；按照预设的周期性超表面阵列结构对烘烤后的光刻胶进行曝光，对曝光后的光刻胶进行显影，并对显影后的结构顶层喷涂金属材料形成具有预设的周期性超表面阵列结构的第二金属层，以使第一金属层、介质层、第二金属层形成具有相干相消效果的完美吸收体。本发明能够合理优化超表面阵列结构参数，使得在所述预设的周期性超表面阵列结构内相邻的结构单元产生振幅相等、相位相反的模式分布，最终在远场获得相干相消效果。