一种3D闪存芯片的制作方法及电子产品

摘要

本发明涉及半导体存储器制造技术领域，尤其涉及一种3D闪存芯片的制作方法及电子产品，包括步骤S1、提供一3D闪存芯片，3D闪存芯片包括一衬底，于衬底上形成多个闪存串，且每个闪存串包括多个存储单元；于每个闪存串中形成一电子沟道，并于电子沟道与存储单元的存储介质之间形成第一隧道氧化层或第二隧道氧化层；步骤S2、于一预设时间内，将采用第二隧道氧化层的存储单元中存储的数据转移备份至采用第一隧道氧化层的存储单元或片外存储单元中；步骤S3、于步骤S2之后，将数据重新加载至采用第二隧道氧化层的存储单元中。上述技术方案：打破传统3D闪存芯片制造工艺的壁垒，使3D闪存芯片既可以让数据保持时间较长又不影响数据读写速度。