基于高温扩散形成p型ScAlN层的高效发光二极管及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于高温扩散形成p型ScAlN层的高效发光二极管及制备方法，该高效发光二极管包括：衬底层(1)；成核层(2)，设置于所述衬底层(1)上；n型GaN层(3)，设置于所述成核层(2)上；多量子阱层(4)，设置于所述n型GaN层(3)上，所述多量子阱层(4)包括若干AlxGa1‑xN阱层和若干AlyGa1‑yN垒层，且所述若干AlxGa1‑xN阱层和所述若干AlyGa1‑yN垒层依次交替层叠设置于所述n型GaN层(3)上；电子阻挡层(5)，设置于所述多量子阱层(4)上；P型ScmAl1‑mN层(6)，设置于所述电子阻挡层(5)上；若干电极(7)，所述若干电极(7)分别设置于所述P型ScmAl1‑mN层(6)上和所述n型GaN层(3)上。本发明的发光二极管由于P型层采用ScAlN材料，提高了p型层的空穴浓度，从而提高了器件的发光效率。