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有机半导体单晶膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种有机半导体单晶膜的制备方法,用喷墨打印机在基底上进行喷墨打印,干燥,得到有机半导体单晶膜,其中,基底为Si/SiO2硅片,基底用于喷墨打印一面的疏水性能为纯水接触角为10~20°,喷墨打印采用喷墨打印墨水,喷墨打印墨水由邻二氯苯、异佛尔酮、有机半导体和表面活性剂混合而成,喷墨打印墨水中邻二氯苯和异佛尔酮的体积比为3:1,喷墨打印墨水中有机半导体的浓度为2~3mg/ml,喷墨打印墨水中表面活性剂的浓度为0.1~0.3mg/ml,表面活性剂为全氟辛基磺酸钾。有机半导体单晶膜无晶界,缺陷少,制备而成的场效应晶体管性能得到了提高,发现最高迁移率达1.57cm2V‑1s‑1。

著录项

  • 公开/公告号CN112210249B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN201911063282.9

  • 发明设计人 李荣金;牛智凯;胡文平;

    申请日2019-10-31

  • 分类号C09D11/38(20140101);C09D11/36(20140101);H01L51/00(20060101);B41M5/00(20060101);

  • 代理机构12214 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人李蕊;王秀奎

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号

  • 入库时间 2022-08-23 12:58:01

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