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有机半导体器件、有机半导体单晶膜的制造方法、以及有机半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种有机半导体单晶膜,其能够配置于期望的基板上,且具有比以往薄的膜厚。本发明涉及一种有机半导体器件,其包含基板以及上述基板上的有机半导体单晶膜,上述有机半导体单晶膜的平均膜厚为2~100nm,上述基板的与上述有机半导体单晶膜相接的面的至少一部分为接触角80度以上的疏水性、溶剂溶解性、非耐热性或它们的组合。

著录项

  • 公开/公告号CN113454800A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 国立大学法人东京大学;

    申请/专利号CN202080015814.6

  • 申请日2020-02-19

  • 分类号H01L51/40(20060101);H01L51/05(20060101);H01L51/30(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/786(20060101);

  • 代理机构11444 北京汇思诚业知识产权代理有限公司;

  • 代理人孙明;龚敏

  • 地址 日本国东京都文京区本乡七丁目3番1号

  • 入库时间 2023-06-19 12:43:46

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