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一种Cp*Co(CO)I2负载钴掺杂氧化锌光阳极纳米阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种Cp*Co(CO)I2负载钴掺杂氧化锌光阳极纳米阵列的制备方法,将含有氧化锌种子层的FTO基底放入聚四氟乙烯高压反应釜中,再加入Zn(NO3)2·6H2O与六亚甲基四胺的混合液,于90℃水热反应5~10h得到ZnO光阳极纳米阵列;在水热反应液中加入硝酸钴,于90℃水热反应5~10h得到Co‑ZnO光电阳极纳米阵列;将Co‑ZnO光电阳极纳米阵列于室温下在黑暗条件下浸入Cp*Co(CO)I2的N,N‑二甲基甲酰胺溶液中6~10h,最后用乙醇和水冲洗得到目标产物。本发明制得的Cp*Co(CO)I2负载钴掺杂氧化锌光阳极纳米阵列不仅能够保持较好的氧化锌阵列形貌,而且加快了光生电子的迁移率,具有较好的稳定性,最终展现出优异的光电化学性能。

著录项

  • 公开/公告号CN110528023B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 河南师范大学;

    申请/专利号CN201910836917.8

  • 申请日2019-09-05

  • 分类号C25B11/091(20210101);C25B1/04(20210101);B01J31/26(20060101);

  • 代理机构41139 新乡市平原智汇知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人周闯

  • 地址 453007 河南省新乡市牧野区建设东路46号

  • 入库时间 2022-08-23 12:56:36

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