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一种低蚀刻的去除光阻残留物的清洗液

摘要

本发明公开了一种用于去除光阻残留物的清洗液及其组成。这种去除光阻残留物的清洗液含有(a)季胺氢氧化物(b)醇胺(c)有机溶剂(d)C2‑C6多元醇(e)咪唑及其衍生物。该清洗液能够更为有效地去除晶圆上的光阻残留物,且对金属铜、铝等基本不腐蚀;在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN106919013B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 安集微电子(上海)有限公司;

    申请/专利号CN201510999612.0

  • 发明设计人 何春阳;刘兵;王鹏程;

    申请日2015-12-28

  • 分类号G03F7/42(20060101);

  • 代理机构11352 北京大成律师事务所;

  • 代理人李佳铭

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区碧波路889号1幢E座第1至第2层以及第3层的部分区域

  • 入库时间 2022-08-23 12:56:05

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