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一种具有p型导电性的四方相BiVO4薄膜的制备方法及所得产品和应用

摘要

本发明公开了一种具有p型导电性的四方相BiVO4薄膜的制备方法及所得产品和应用,其步骤为:将可溶性铋盐和可溶性钒盐先分别配成溶液;将铋盐溶液和钒盐溶液混合,调节pH至酸性,将FTO玻璃浸入到所得溶液中,移至反应釜进行水热反应,得到产品。本发明采用水热法首次合成出了具有p型导电性的四方相BiVO4薄膜,该方法制备工艺简单,合成条件易于控制,所得BiVO4薄膜为四方锆石晶相,具有p型导电性,形貌新颖、单一,微观形貌重复性好,并且结晶性好、稳定性良好,作为光阴极在不加外电压的情况下可实现光分解水产氢,具有广阔的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN109772294B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 济南大学;

    申请/专利号CN201910204380.3

  • 发明设计人 王俊鹏;王刚;师瑞霞;马谦;杨萍;

    申请日2019-03-18

  • 分类号B01J23/22(20060101);B01J37/10(20060101);C01B3/04(20060101);

  • 代理机构37218 济南泉城专利商标事务所;

  • 代理人贾波

  • 地址 250022 山东省济南市市中区南辛庄西路336号

  • 入库时间 2022-08-23 12:55:50

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