公开/公告号CN100495755C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-06-03
原文格式PDF
申请/专利权人 日立环球储存科技荷兰有限公司;
申请/专利号CN200610109106.0
发明设计人 詹姆斯·M·弗赖塔格;马斯塔法·M·平纳巴西;
申请日2006-08-03
分类号H01L43/08(20060101);H01L43/12(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人张波
地址 荷兰阿姆斯特丹
入库时间 2022-08-23 09:02:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-10-03
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11B 5/39 授权公告日:20090603 终止日期:20110803 申请日:20060803
专利权的终止
2009-06-03
授权
授权
2007-04-11
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-02-14
公开
公开
机译: 利用倾斜蚀刻的下层在硬磁钉扎层中引起单轴磁各向异性的磁读取传感器的制造方法
机译: 利用倾斜蚀刻的下层在硬磁钉扎层中引起单轴磁各向异性的磁读取传感器的制造方法
机译: 具有反平行钉扎层和改进的偏置层的自旋阀磁致电阻传感器,以及使用该传感器的磁记录系统