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一种金属钨的沉积方法以及金属钨的沉积结构

摘要

本发明实施例公开了一种金属钨的沉积方法,所述方法包括:形成钨形核层;基于所述钨形核层沉积第一钨生长层;对所述第一钨生长层执行退火工艺;在退火后的所述第一钨生长层上沉积第二钨生长层。本发明实施例还公开了一种基于所述沉积方法形成的金属钨的沉积结构。

著录项

  • 公开/公告号CN110714189B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;

    申请/专利号CN201910945179.0

  • 发明设计人 熊少游;程磊;詹侃;周烽;左明光;

    申请日2019-09-30

  • 分类号C23C16/14(20060101);C23C16/56(20060101);H01L21/768(20060101);H01L23/532(20060101);

  • 代理机构11270 北京派特恩知识产权代理有限公司;

  • 代理人李梅香;张颖玲

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

  • 入库时间 2022-08-23 12:54:45

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