公开/公告号CN110714189B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-07
原文格式PDF
申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;
申请/专利号CN201910945179.0
申请日2019-09-30
分类号C23C16/14(20060101);C23C16/56(20060101);H01L21/768(20060101);H01L23/532(20060101);
代理机构11270 北京派特恩知识产权代理有限公司;
代理人李梅香;张颖玲
地址 430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
入库时间 2022-08-23 12:54:45
机译: 用于计算机互连金属化的氮化钨,氮化钨膜和氮化钨扩散阻挡层的低温有机化学气相沉积方法
机译: 填充镶嵌结构涉及通过衬里涂覆镶嵌结构,以提供较差的台阶覆盖率,通过化学气相沉积来沉积钨,以及执行金属隔离工艺
机译: 通过在CVD钨沉积中添加N2来形成改善钨的粗糙度的半导体器件的金属互连的方法