法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-03-16
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/111 授权公告日:20090603 终止日期:20100121 申请日:20061221
专利权的终止
2009-06-03
授权
授权
2008-08-20
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-06-25
公开
公开
机译: 包含铝,镓,铟,砷和锑的化合物的半导体组件具有台面结构,其侧面具有铝,镓,砷和锑的化合物的钝化层。
机译: 用于近红外辐射的半导体光电阴极-包括透明的砷化镓铝镓层和电子发射砷化镓铟锡层
机译: 用于近红外辐射的半导体光电阴极-包括透明的砷化镓铝镓层和电子发射砷化镓铟锡层