一种P型区并列于量子阱区生长的深紫外发光器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种P型区并列于量子阱区生长的深紫外发光器件及其制备方法，该器件包括位于衬底上的N型AlGaN层，以及位于N型AlGaN层上、并列邻接设置的P型区和量子阱区，P型区包含依次层叠的电流阻断层、p型AlGaN超晶格结构以及p型GaN层，p型AlGaN超晶格结构邻接p型GaN层的面平齐于量子阱区的表面。其通过p型AlGaN超晶格结构与量子阱区并列邻接接触设置，使得每个位置空穴可直接进入所在生长位置的量子阱区，并可运动至整个量子阱区的任意位置参与复合，无需逐级参与复合，提高了空穴的注入效率，另外结合p型GaN层设置于非量子阱区，减少了深紫外光被p型GaN层吸收，提高了总体的光输出。