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公开/公告号CN110550964B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-19
原文格式PDF
申请/专利权人 大连理工大学;
申请/专利号CN201910840864.7
发明设计人 史国栋;周文雅;武湛君;王亨利;宋健;
申请日2019-09-06
分类号C04B35/81(20060101);C04B38/00(20060101);
代理机构21200 大连理工大学专利中心;
代理人梅洪玉
地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
入库时间 2022-08-23 12:49:38
机译: 表面涂覆的SiC晶须,其制备方法,用其增强的陶瓷以及制备所述增强的陶瓷的方法
机译: 生产bn涂覆的SiC晶须的方法和包含所述bn涂覆的SiC晶须作为增强材料的陶瓷的方法
机译:NH_4HCO_3含量对晶须增强SiC多孔陶瓷性能的影响
机译:NH4HCO3含量对晶须增强SiC多孔陶瓷性能的影响
机译:原位合成多孔ZRB2 / ZRC / SIC陶瓷装饰着SIC晶须
机译:SiC纳米晶须通过火花等离子体烧结增强TiCN基金属陶瓷
机译:通过溶胶-凝胶和原位聚合技术从多层涂覆的SiC颗粒制备莫来石键合多孔SiC陶瓷。
机译:一种生物陶瓷支架由锶掺杂的三维羟基磷灰石晶须组成可增强骨质疏松性缺损中的骨再生
机译:NH 3 CO 3含量对晶须增强SiC多孔陶瓷性质的影响
机译:生产siC晶须增强氧化铝复合材料的氧化铝涂层siC晶须的合成。