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一种具有难熔金属碳化物界面的C/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法

摘要

本发明属于超高温陶瓷基复合材料领域,涉及一种具有难熔金属碳化物界面的C/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法,即以难熔金属与热解碳界面反应生成难熔金属碳化物,与碳纤维反应结合,结合强度高,碳化硅基体通过化学气相渗透与聚碳硅烷循环浸渍热解制备。本发明的有益效果在于:(1)纤维得到有效保护,提高了纤维的高温抗衰减能力;(2)界面致密、界面强度高、抗裂纹扩展能力强,有效地防止氧气的侵蚀。

著录项

  • 公开/公告号CN112010663B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京航空航天大学;

    申请/专利号CN201910539780.X

  • 发明设计人 陈照峰;薛立平;杨丽霞;

    申请日2019-06-01

  • 分类号C04B35/80(20060101);C04B35/573(20060101);C04B35/622(20060101);C04B35/626(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 210016 江苏省南京市江宁区将军大道29号

  • 入库时间 2022-08-23 12:49:18

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