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一种基于选择性激光烧结制备聚偏二氟乙烯基压电泡沫制件的方法

摘要

本发明提供一种基于选择性激光烧结制备聚偏二氟乙烯基压电泡沫制件的方法,该方法是将聚偏二氟乙烯粉体作为主要原料,通过选择性激光烧结工艺制备激光烧结制件,再将激光烧结制件采用超临界二氧化碳釜压发泡法制备得到PVDF基泡沫制件,最后极化处理即得PVDF基压电泡沫制件。本发明通过对超临界二氧化碳釜压发泡法工艺参数限定,以及与选择性激光烧结的配合作用,保持并进一步提高了制备过程中聚偏二氟乙烯的β晶型含量,通过该方法制备得到的PVDF基压电泡沫制品,在添加无机填料的情况下其压缩模量可达1.44MPa,压电输出最高为20.9V。

著录项

  • 公开/公告号CN112852078B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 四川大学;

    申请/专利号CN202110047669.6

  • 申请日2021-01-14

  • 分类号C08L27/16(20060101);C08K3/24(20060101);C08K3/36(20060101);C08K3/34(20060101);C08J9/12(20060101);

  • 代理机构51298 成都华复知识产权代理有限公司;

  • 代理人麦迈

  • 地址 610065 四川省成都市武侯区一环路南一段24号

  • 入库时间 2022-08-23 12:46:08

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