通过FZ法提拉单晶的方法和设备

摘要

本发明涉及通过FZ法提拉单晶的方法，其中借助于电磁熔化装置熔化多晶(100)，然后使其再结晶，其中在第一阶段中，借助于所述熔化装置熔化所述多晶(100)的下端，其中在第二阶段中，使单晶晶种(140)附着至所述多晶(100)的所述下端，并从所述晶种(140)的上端开始熔化，其中在第三阶段中，在所述晶种(140)的下区段和所述多晶(100)之间，形成直径(dD)小于所述晶种(140)的直径(dI)的细颈区段(130)，其中在第四阶段中，在所述细颈区段(130)和所述多晶(100)之间，形成所述单晶的锥形区段，其中，在达到所述第四阶段之前，确定所述多晶(100)的转换位置(h')，即所述多晶(100)相对于所述熔化装置移动的速率在量上将要降低的位置，并且其中在所述第四阶段中，当达到所述转换位置(h')时，所述多晶(100)相对于所述熔化装置移动的所述速率在量上降低，并且还涉及相应的设备。