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公开/公告号CN110668816B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-02
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN201910982860.2
发明设计人 袁颖;曹磊;唐斌;钟朝位;张树人;
申请日2019-10-16
分类号C04B35/495(20060101);C04B35/626(20060101);
代理机构51203 电子科技大学专利中心;
代理人吴姗霖
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 12:43:49
机译: 含钙钛矿相和钨青铜相的无铅压电陶瓷材料及其制备压电陶瓷组件的方法
机译: 钙钛矿相和含有钨青铜相的无铅多相压电陶瓷材料,以及含有该材料的压电陶瓷元件的制造方法
机译:制备方法对钨青铜结构SR2NANB5O15陶瓷微观结构和电性能的影响
机译:钨青铜结构无铅弛豫器Ba_5RSn_3Nb_7O_(30)的特性-结构关系
机译:新型无铅钨青铜铁电陶瓷Na_2Ba_2Eu_2W_2Ti_4Nb_4O_(30)的结构和电性能
机译:钨二硫化钨纳米颗粒作为储氢介质
机译:六角形钨青铜,X(X),钨(X),钨(Y)和钨(PROPERTIES)的超导和常态性能。
机译:氢的变色作用和一步合成室温下使用液态金属的钨青铜和钼青铜(HxMO3)
机译:具有钨青铜结构的无铅铁电解中的电场诱导的相变和夹持的P-E滞后环。
机译:铊钨青铜:一种新的缺陷结构