一种应力调控磁化强度的柔性外延Fe4N薄膜及制备方法

摘要

本发明专利涉及一种应力调控磁化强度的柔性外延Fe4N薄膜及制备方法；基底为云母基底，基底厚度为40‑60μm，基底面积为4mm×4mm，Fe4N薄膜的厚度为3‑48nm。本发明从工业化生产角度和实际应用角度出发，采用对向靶反应磁控溅射法利用对向靶磁控溅射法制备薄膜与基底紧密结合、工艺重复性好的柔性外延Fe4N薄膜；在溅射电流为0.05‑0.10A，溅射电压为750‑850V，溅射气压在0.5‑1.0Pa，基底温度为400‑500℃时，制备的柔性外延Fe4N薄膜，通过弯曲产生的应力来调控磁化强度，最大磁化强度相对变化达到了120％，在柔性自旋电子学器件上具有重要应用价值。