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PLATINUM AND COBALT/COPPER-BASED MULTILAYER THIN FILM HAVING LOW SATURATION MAGNETIZATION AND FABRICATION METHOD THEREOF

机译:具有低饱和磁化强度的铂和钴/铜基多层薄膜及其制备方法

摘要

A multilayer thin film for magnetic random access memory that includes thin platinum layers and thin cobalt-copper layers, and more particularly, to a multilayer thin film having magnetic layers including non-magnetic material copper that replaces a portion of the magnetic material cobalt.
机译:1。一种用于磁性随机存取存储器的多层薄膜,其包括薄的铂层和薄的钴铜层,更具体地,涉及一种具有磁性层的多层薄膜,所述磁性层包括代替一部分磁性材料钴的非磁性材料铜。

著录项

  • 公开/公告号US2017133583A1

    专利类型

  • 公开/公告日2017-05-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SK HYNIX INC.;

    申请/专利号US201715410535

  • 申请日2017-01-19

  • 分类号H01L43/10;H01L27/22;H01L43/08;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 13:52:10

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