一种基于组合热敏电参数灵敏度增强的SiC MOSFET结温检测方法

摘要

本发明提供了一种基于组合热敏电参数灵敏度增强的SiC MOSFET结温检测方法，包括以下步骤：采用控制变量法对SiC MOSFET进行温升测试；根据测试数据标定热敏电参数与其相关变量的关系曲线；根据热敏电参数与其相关变量的关系曲线得到拟合方程；对热敏电参数与其相关变量的相关性进行分析，当存在两个热敏电参数与其多个相关变量具有线性关系，并且这两个热敏电参数具有除结温外的同一相关变量，所述同一相关变量与结温对各自热敏电参数相关性的一致性相反时；消去这两个热敏电参数除结温外的同一相关变量。本发明能够在不增加检测变量的同时提高结温检测的灵敏度，有效缓解了单一热敏电参数存在除结温外影响因素多和灵敏度低的问题，提高了SiC MOSFET结温检测精度。