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一种基于忆阻器单元的神经网络突触结构及其调节方法

摘要

本发明涉及计算机与电子信息技术领域,具体涉及一种基于忆阻器单元的神经网络突触结构及其调节方法。本发明将多个忆阻器单元级联在一起作为一个电子突触(即级联忆阻器单元组),使用一种加权的映射规则将其电阻值映射到神经网络中的突触权值,并采用全调节或分步调节的方式来避免神经网络在学习过程中因忆阻器无法精确调节所带来的影响,从而使各类神经网络均可在基于忆阻器的系统上正常运行。本发明解决了电阻值到突触权值的映射问题与忆阻单元阻值变化的不确定性问题。

著录项

  • 公开/公告号CN109359734B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201811245921.9

  • 申请日2018-10-24

  • 分类号G06N3/063(20060101);

  • 代理机构51203 电子科技大学专利中心;

  • 代理人闫树平

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 12:40:33

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