一种原子层沉积技术生长VxC纳米材料的方法

摘要

本发明公开了一种原子层沉积技术生长VxC纳米材料的方法，属于纳米材料领域，在真空条件下，以脉冲形式向反应腔中通入气化后的三异丙氧基氧化钒，进行沉积，得到沉积有V源的衬底，吹扫后再以脉冲形式通入气相碳源，与沉积在衬底上的V源进行单原子反应，得到单原子层的VxC纳米材料，再次进行吹扫，之后循环上述步骤1～2000次，即可制备得到原子层沉积技术生长VxC纳米材料，其中，所述碳源为乙醚、丙醚、丁醚、或四氢呋喃的一种。本发明采用三异丙氧基氧化钒与碳源组合，将其进一步应用在原子层沉积技术中，使其能够在纳米级的衬底上沉积形成保型性较好的含VxC沉积层。