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多重状态存储器元件及其存储状态值的调整方法

摘要

一种多重状态存储器元件包括:第一存储器单元、第二存储器单元、第一控制单元以及第二控制单元。第二存储器单元具有与第一存储器单元实质相同的存储单元结构,并与第一存储器单元串接。第一控制单元与第一存储器单元串联或并联。第二控制单元,具有与第一控制单元相同的特征值以及相同连接结构,用以与第二存储器单元电性连接。当第一存储器单元经由第一控制单元接收第一信号和第二信号时,第一存储器单元分别产生第一状态值和第二状态值;其中特征值介于第一状态值第二状态值之间。

著录项

  • 公开/公告号CN110858502B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 旺宏电子股份有限公司;

    申请/专利号CN201810970278.X

  • 申请日2018-08-23

  • 分类号G11C16/34(20060101);G11C16/06(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人任岩

  • 地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

  • 入库时间 2022-08-23 12:38:05

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