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四硫钴酸镍/氢氧化钴纳米片阵列结构复合材料及其制备与应用

摘要

本发明提供了一种NiCo2S4/Co(OH)2纳米片阵列结构复合材料及其制备方法和应用,本发明一是通过控制金属离子与二甲基咪唑的比例,采用溶剂热法制备得到的钴镍双金属有机配体前驱体具有二维纳米片阵列结构,这种纳米片结构以及孔隙尺寸确保具有较高的原子利用率和较好的电解质的扩散;二是通过调节前驱体钴镍两种金属盐的浓度比,采用控制液相水解硫化工艺,即将钴镍双金属有机配体前驱体硫化为钴镍双金属硫化物,同时将一部分钴水解为氢氧化钴,即一次水热反应得到NiCo2S4/Co(OH)2复合物,使钴镍双金属的赝电容行为相互协同,极大地提高了比电容性能,最高比电容达3668F/g,高于金属钴的理论比容量。

著录项

  • 公开/公告号CN110526304B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江工业大学;

    申请/专利号CN201910807304.1

  • 发明设计人 郑华均;宋剑兰;叶笑颖;叶伟青;

    申请日2019-08-29

  • 分类号C01G53/00(20060101);C01G51/04(20060101);H01G11/24(20130101);H01G11/26(20130101);H01G11/30(20130101);H01G11/86(20130101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构33201 杭州天正专利事务所有限公司;

  • 代理人黄美娟;朱思兰

  • 地址 310014 浙江省杭州市下城区潮王路18号浙江工业大学科技处

  • 入库时间 2022-08-23 12:37:18

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