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半导体光放大器芯片、光接收子组件和光模块

摘要

本申请公开了一种半导体光放大器芯片,该芯片包括依次位于衬底上的有源区、光波导和N个相互电隔离的电极。其中,有源区包括N个子有源区,并且电极和子有源区一一对应。该多个子有源区中,每个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号的大小进行调节,其中,至少一个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号进行放大处理。如此,本申请提供的半导体光放大器芯片可以通过各个子有源区对光信号大小的调节程度来满足较大的动态范围的需求。此外,本申请还提供了一种光接收子组件以及光模块。

著录项

  • 公开/公告号CN111106526B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 海思光电子有限公司;

    申请/专利号CN201811259612.7

  • 申请日2018-10-26

  • 分类号H01S5/026(20060101);G02B6/42(20060101);

  • 代理机构44285 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王仲凯

  • 地址 430079 湖北省武汉市东湖高新区高新大道999号

  • 入库时间 2022-08-23 12:37:08

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