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公开/公告号CN111106526B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-15
原文格式PDF
申请/专利权人 海思光电子有限公司;
申请/专利号CN201811259612.7
发明设计人 余力强;牟晋博;刘俊锋;崔振威;齐鸣;伊恩·里阿尔曼;
申请日2018-10-26
分类号H01S5/026(20060101);G02B6/42(20060101);
代理机构44285 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人王仲凯
地址 430079 湖北省武汉市东湖高新区高新大道999号
入库时间 2022-08-23 12:37:08
机译: 半导体光放大器装置,放大外部施加的光信号的半导体光放大器驱动装置以及半导体光接收装置
机译: 半导体光放大器装置,半导体光放大器驱动装置以及半导体光接收装置
机译:干涉式波浪波翠子子子素子子高的分析分析半导体光放大器辅助光
机译:分离和接收子芯片多径组件
机译:半导体光放大器中载流子分布不均匀。
机译:基于GaInNAs的Hellish垂直腔半导体光放大器用于1.3μm工作
机译:使用半导体光放大器的基于网格的混合光网络芯片的功率和信噪比优化
机译:混合信号接收器芯片RF前端接收器芯片