本征型低介质损耗因数聚酰亚胺薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种本征型低介质损耗因数聚酰亚胺薄膜及其制备方法，属于聚酰亚胺材料技术领域。本发明所述聚酰亚胺薄膜在组成上含有占比为5～30mol％的式(I)表示的重复单元及余量的低极性聚酰亚胺聚合物，其中双酯键单体TAHQ的使用有效降低聚酰亚胺体系的介质损耗因数，而采用式(I)所示结构的聚合物与低极性聚酰亚胺聚合物通过嵌段聚合而成的聚酰亚胺薄膜无需涂覆热塑性层即可满足行业标准中对剥离强度的要求，且介电损耗因数≤0.006、介电常数≤3.0(10GHz)，满足高频条件下的信号传输要求。其中，所述式(I)表示的重复单元结构如下：式(I)中，X为CH3或CF3，n为大于或等于1的整数。